MEMS
Réalisations pour cette catégorie
Des données fondamentales pour la fabrication des résonateurs
+précis +efficace +intégré
Pour fabriquer un résonateur MEMS de haute qualité, il est indispensable de connaître les propriétés d’amortissement de ses composants et notamment celles liées aux frictions internes dans les films minces (50 à 500 nm d’épaisseur). Pour la première fois, les Professeurs Vengallatore et Fréchette sont parvenus à mesurer précisément ces données grâce à un microcantilever en silicium permettant de travailler à la limite fondamentale de dissipation établie par amortissement thermoélastique.
Cette stratégie a permis de mettre en évidence un phénomène important dans le domaine des résonateurs MEMS : les films d’or dissipent moins d’énergie que les films d’aluminium ou d’argent entre 100 Hz et 1,5 kHz. De plus, il a été démontré que les phénomènes de frictions internes sont dominés par les défauts induits pendant la fabrication des films. Ces travaux vont permettre d’orienter les méthodes de fabrication pour aller vers des résonateurs de haute qualité.
Référence
[1] G. Sosale, S. Prabhakar, L.G. Frechette, S. Vengallatore, Journal of Microelectromechanical Systems, 20, 3, 764-773 (2011)
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5759289&isnumber=5779913
Chercheurs impliqués
G. Sosale, D. Almecija et Pr. S.Vengallatore (Université McGill), Pr. L. Fréchette (Université de Sherbrooke)
La contribution IRDQ
Technologie d'encapsulation par SiC
+efficace +intégré
Le professeur El-Gamal a présenté une technologie d’encapsulation par couches minces pour les MEMS à très haute intégration sur tranches de silicium. La spécificité de cette technologie réside dans l’utilisation qu’elle fait du SiC comme principal élément de sa structure, et son procédé de fabrication est totalement compatible avec la technologie CMOS. Plusieurs dispositifs à MEMS exigent un enrobage, soit uniquement pour les protéger, soit pour améliorer leur performance. Ainsi, la demande pour ce type d’encapsulation des tranches de semi-conducteur et l’intérêt qu’on y porte croissent rapidement dans l’industrie. En plus de réduire considérablement le facteur de forme du dispositif enrobé final, cette nouvelle technologie améliore le rendement de la fabrication et réduit les coûts. Pour démontrer la faisabilité de cette nouvelle technologie, des jauges de Pirani ont été fabriquées, enrobées et scellées, et elles ont fonctionné comme prévu.
Référence
[1] Paul-Vahe Cicek, Qing Zhang, Tanmoy Saha, Sareh Mahdavi, Karim Allidina, Frederic Nabki and Mourad El Gamal J. Micromech. Microeng. 23 065013 (2013)
Chercheurs impliqués
Professor Mourad El-Gamal (McGill University), Professor Frederik Nabki (UQAM)
La contribution IRDQ