Électronique
Réalisations pour cette catégorie
Les défis de la fabrication de structures infiniment petites
+précis +petit +performant
Depuis l’invention du premier microprocesseur en 1971, une réduction constante des limites de fabrication, passées de 3 microns en 1980 à 32 nanomètres aujourd’hui, a permis une constante évolution de la microélectronique... et cela devrait continuer jusqu’à un « mur » physique qui s’approche rapidement : l’atome. En effet, 32 nanomètres ne représentent qu’une centaine d’atomes placés côte à côte : le défi est de fabriquer des structures de quelques atomes de résolution sur de grandes surfaces et ce, à moindre coût.
La fabrication de structures de cette taille repose sur deux grandes étapes : la définition de motifs dans une résine et leur transfert dans un matériau. Pour pousser les limites de ces étapes, un des outils de lithographie électronique les plus performant au monde est mis à profit, le Vistec VB6 UHR-EWF. Couplé à des outils de gravure plasma à la fine pointe de la technologie, des motifs de l’ordre de 10 nm (c’est-à-dire une trentaine d’atomes) gravées sur 120 nm de profondeur ont été obtenues sur du silicium et de la silice, soit les plus petites dimensions jamais atteintes.
Chercheurs impliqués
S. Delprat, B. Le Drogoff et Pr. M. Chaker (INRS)
La contribution IRDQ
Des points quantiques de silicium pour les mémoires électroniques
+performant +petit +intégré
Les cartes mémoires et autres clés USB font partie intégrante de notre quotidien. L'approche du Pr. Drouin pourrait révolutionner leur conception.
Des matrices ordonnées de trous infiniment petits dans une couche de nitrure de silicium ont été obtenues en combinant la lithographie électronique et la gravure plasma. Par la suite, une impulsion courte de courant électrochimique permet la formation d’un nanocristal de silicium par trou. Ceci résulte, en une matrice de cristaux de haute qualité ayant une morphologie reproductible et donc adressable dans un système de stockage réel.
Référence
[1] A. Ayari-Kanoun, A. Jaouad, A. Souifi, D. Drouin, J. Beauvais, Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (5), 051802 (2011)
Chercheurs impliqués
Pr. D. Drouin et Pr. J. Beauvais (Université de Sherbrooke), Pr. A Souifi (INSA Lyon)
La contribution IRDQ
