Gravure
Gravure par plasma haute densité de type ICP-RIE
En bref :
Plusieurs modèles sont disponibles pour la gravure de silicium, d'oxyde, de nitrure, de métaux, de germanium, de verre et de matériaux III-V. Certains appareils offrent la gravure profonde de type ICP-DRIE par procédé cryogénique ou Bosch.
Modèles disponibles :
ICP RIE
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SPTS AOE: instrument pour la gravure du verre, de SiO2 et de nitrure
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| SPTS ASE-SR: instrument pour la gravure du Si et Ge; la gravure en phase vapeur XeF2 est en développement |
| STPS III-V: instrument pour la gravure de Si, Ge, métaux (Cr, Ti, Al) et vaste gamme de matériaux III-V |
Gravure profonde de type ICP DRIE
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| Oxford ICP380 : instrument dédié à la gravure du silicium par procédé cryogénique |
| SPTS ASE SR : instrument non-dédié, gravure du silicium par procédé Bosch |
Gravure ICP RIE avec plateau cryogénique
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| Oxford ICP380 Chlore: instrument pour la gravure de métaux (Cr et Al) et de matériaux III-V (GaAs, GaN, InGaN) |
| Oxford ICP380 Fluore: Instrument pour la gravure de Si, SiO2, quartz et nitrure |
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Gravure par ions réactifs (RIE)
Gravure en phase liquide
En bref :
Plusieurs bancs humides sont en fonction pour les gravures en phase liquide et nettoyage d'échantillons.
Procédés disponibles
Type de matériaux gravés
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Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs
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Gravure HNA du silicium mono et poly crystallin
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| Métaux (Cr, Au, Ni, Cu...) |
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Gravure isotrope XeF2
En bref :
Le graveur Xactix e2 est dédié à la gravure isotrope du silicium. La gravure est en phase vapeur, évitant ainsi les problèmes typiquement associés avec les gravures liquides.
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Gravure par faisceau d'ions focalisé (FIB)
Modèles disponibles :
En bref :
Le modèle de Zeiss est un appareil multifonctions permettant, outre la gravure du silicium: le dépôt de métaux et d'isolant, la microscopie électronique à balayage (SEM), la lithographie par faisceau d'électrons à haute résolution, la microscopie électronique en transmission (STEM).
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